육각형 질화붕소의 구조

질화붕소(BN)는 우수한 특성과 뛰어난 개발 잠재력을 가진 새로운 와이드{0}밴드 갭 나노물질입니다. 질소 원자와 붕소 원자로 구성된 ⅲ - ⅴ족의 대표적인 화합물이다. 질소 원자와 붕소 원자는 서로 다른 하이브리드 방식으로 결합하여 서로 다른 상 구조를 갖는 질화붕소를 형성합니다. 질화물(C-BN), wurtzite 질화붕소(W-BN) 및 직교 질화붕소(O-BN). 그 중 육방정계 질화붕소는 자연계에 존재하는 유일한 질화붕소상이다.

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), 900도의 높은 내산소성, 2000도의 고온 내성, 낮은 열팽창/수축률, C-축을 따라 우수한 방열성을 가지며 광범위한 응용 분야를 가지고 있습니다. 또한, 단일 또는 다중-6각형 BORON 아질산관 나노물질을 육각형 붕소 아질산관으로 압착할 수 있습니다.