실리콘 카바이드 트레이
용도 : LED 웨이퍼 코어용 에피택시층 박막재료(GaN, SiO2 등)의 ICP 식각 공정, 정밀 세라믹 부품을 이용한 반도체 확산, 반도체 웨이퍼의 MOCVD 에피 공정. 탄화규소 세라믹 트레이는 고순도, 비가압 소결 탄화규소 세라믹 재료로 만들어지며, 이는 높은 경도, 내마모성, 높은 열전도율, 고온 기계적 안정성, 내식성, 높은 정밀도 및 균일성의 장점을 가지고 있습니다. 웨이퍼 에피택셜 층 에칭.
설명
SiC 트레이는 다른 유형의 트레이에 비해 많은 장점을 가지고 있습니다. 우선, 높은 열 전도성으로 인해 소결 및 브레이징과 같은 열처리 공정에 이상적입니다. 뒤틀림이나 품질 저하 없이 최대 1650도까지 견딜 수 있습니다. 즉, 다른 재료로는 작동하지 않는 가혹한 환경에서도 사용할 수 있습니다.
둘째, 탄화규소 트레이는 화학적으로 불활성이며 산, 염기 및 염을 포함한 대부분의 화학 물질과 반응하지 않습니다. 이 기능 덕분에 가혹한 화학 물질이 자주 사용되는 화학 및 제약 산업에 사용하기에 이상적입니다.
셋째, SiC 트레이는 내마모성이 뛰어나고 열팽창 계수가 낮습니다. 따라서 부품이 잘 맞아야 하고 열 변화로 인해 팽창하거나 수축하지 않아야 하는 고온 용광로 응용 분야에 사용하기에 이상적입니다.
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